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参数资料
| 型号： | IRL2203NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 116A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL2203NS/L
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
100
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
2.7V
10
2.7V
10
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 25 C
1000
°
T J = 175 ° C
2.5
2.0
1.5
I D = 100A
100
1.0
0.5
10
2.0
3.0
4.0
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
5.0 6.0
7.0
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL2203N | MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB |
| IRL2505STRR | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK |
| IRL2703STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| IRL2703STRR | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL2203S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=100A) |
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| IRL2203STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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