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参数资料
| 型号： | IRL2310 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | IRL2310 |
IRL2310
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL2910L | HEXFET POWER MOSFET |
| IRL2910S | HEXFET POWER MOSFET |
| IRL3402 | N Channel HEXFET Power MOSFET(N 沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
| IRL3705N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3713 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2505 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL2505 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| IRL2505L | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2505LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:104 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| IRL2505PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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