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参数资料
| 型号： | IRL2310 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | IRL2310 |
Package Outline
TO-220AB Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
IRFL2310
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220-AB.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB
Part Marking Information
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYWW)
YY = YEAR
WW = WEEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: (44) 0883 713215
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 3L1, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: 6172 37066
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: (39) 1145
10111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo 171 Tel: (03)3983 0641
IR
SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, 0316 Tel: 65 221 8371
Data and specifications subject to change without notice.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL2910L | HEXFET POWER MOSFET |
| IRL2910S | HEXFET POWER MOSFET |
| IRL3402 | N Channel HEXFET Power MOSFET(N 沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
| IRL3705N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3713 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2505 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL2505 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| IRL2505L | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2505LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:104 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| IRL2505PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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