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参数资料
| 型号： | IRL2703S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL2703S |
IRL2703S
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
1
2.5V
20 μ s PU LSE W ID TH
1
2.5V
2 0μ s PU L SE W ID TH
0.1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
100
0.1
0.1
1
T J = 1 75 °C
10
A
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-S ource Voltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
T J = 1 7 5 °C
2.0
1.5
I D = 24 A
10
1.0
1
0.5
V DS = 1 5 V
0.1
2
3
4
5
6
2 0 μ s P U L S E W ID T H
7 8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL1104S | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| AT4128JB | CAP RND CLR/WHT FOR LED LB SER |
| B32529C105K289 | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
| T491A475M025AT | CAP TANT 4.7UF 25V 20% 1206 |
| B32529C105K189 | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2703SPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL2703STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2703STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2703STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2910 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
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