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参数资料
| 型号： | IRL2703S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL2703S |
IRL2703S
1000
800
V GS
C is s
C rss
C oss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH OR TE D
= C gd
= C d s +C gd
15
12
I D = 14A
V DS = 2 4V
V DS = 1 5V
C i ss
600
400
200
C o ss
C rs s
9
6
3
FO R TEST CIR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
SEE FIG UR E 13
12 16
20
A
100
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , T otal Gate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
T J = 1 75 °C
100
10μ s
T J = 25° C
10
10 0μs
10
1 ms
V G S = 0 V
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le Pulse
10
1 0m s
100
A
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL1104S | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| AT4128JB | CAP RND CLR/WHT FOR LED LB SER |
| B32529C105K289 | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
| T491A475M025AT | CAP TANT 4.7UF 25V 20% 1206 |
| B32529C105K189 | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2703SPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL2703STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2703STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2703STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2910 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
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