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参数资料
| 型号： | IRL2703S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL2703S |
IRL2703S
Package Outline
D 2 Pak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
1 .4 0 (.0 5 5)
M A X.
1 0 .5 4 (.4 15 )
1 0 .2 9 (.4 05 )
-A -
4
4.6 9 (.1 85 )
4.2 0 (.1 65 )
-B -
1 .3 2 (.0 5 2)
1 .2 2 (.0 4 8)
1 0 .1 6 (.40 0 )
R E F.
4
6.4 7 (.2 55 )
1 .7 8 (.0 7 0)
1 .2 7 (.0 5 0)
1
2
3
1 5 .4 9 (.61 0 )
1 4 .7 3 (.58 0 )
2.7 9 ( .1 10 )
2.2 9 ( .0 90 )
6.1 8 (.2 43 )
5 .2 8 (.2 0 8)
4 .7 8 (.1 8 8)
2.6 1 (.1 0 3)
2.3 2 (.0 9 1)
3X
1.4 0 (.0 55 )
1.1 4 (.0 45 )
2X
0 .93 (.03 7 )
0 .69 (.02 7 )
0.5 5 (.0 22 )
0.4 6 (.0 18 )
1.39 (.0 55 )
1.14 (.0 45 )
8 .8 9 (.35 0 )
R E F.
5 .0 8 ( .20 0)
0 .2 5 ( .0 1 0)
M
A M B
N O TES:
1 DIMEN SIO NS AFTER SO LD ER D IP.
2 DIMEN SIO NIN G & TO LERAN CIN G PER ANSI Y14.5M, 1982
3 CO N TRO LLIN G D IMENSION : IN CH .
4 DIMEN SIO NS AR E SH OW N IN MILLIMETER S (IN CH ES).
5 HEATSIN K & LEAD D IMEN SIO N S D O NO T IN CLU D E BU R RS.
Part Marking Information
D 2 Pak
E XAM PL E : THIS IS A N IR F5 30 S
A
W ITH AS SE MB LY
L OT C OD E 9B 1M
IN TER NA TIO NA L
R EC TIF IER
LO G O
A SS EMB LY
LOT C OD E
F 53 0S
92 46
9B 1M
A
PAR T N UM BE R
D ATE C OD E
(YYW W )
Y Y = YE AR
W W = W E EK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL1104S | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| AT4128JB | CAP RND CLR/WHT FOR LED LB SER |
| B32529C105K289 | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
| T491A475M025AT | CAP TANT 4.7UF 25V 20% 1206 |
| B32529C105K189 | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2703SPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRL2703STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| IRL2910 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
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