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参数资料
| 型号： | IRL3202S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 29A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3202S |
IRL3202S
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
D V (BR)DSS / D T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.029
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
V GS = 7.0V, I D = 29A ?
0.016
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
0.70
28
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.8
100
63
82
0.019 V GS = 4.5V, I D = 29A ?
W
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 16V, I D = 29A ?
25 V DS = 20V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 10V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 10V
nA
-100 V GS = -10V
43 I D = 29A
12 nC V DS = 16V
13 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ??
––– V DD = 10V
––– I D = 29A
ns
––– R G = 9.5 W, V GS = 4.5V
––– R D = 0.3 W, ??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5 –––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2000 ––– V GS = 0V
800 ––– pF V DS = 15V
290 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
48
190
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 29A, V GS = 0V ?
––– 68 100 ns T J = 25°C, I F = 29A
––– 130 190 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.64mH
R G = 25 W , I AS = 29A.
? I SD ￡ 29A, di/dt ￡ 63A/μs, V DD ￡ V (BR)DSS ,
T J ￡ 150°C
? Pulse width ￡ 300μs; duty cycle ￡ 2%.
? Uses IRL3202 data and test conditions
** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3103STRL | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
| 1301730069 | RETRACT W/RATCHET LOC 4-6LB 6.6' |
| IRL3103L | MOSFET N-CH 30V 64A TO-262 |
| IRL3102S | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| 1301020096 | HANDLAMP W/25' W/REFLECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3202SPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3202STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3215 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3215HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL3215PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 12A TO220AB |
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