参数资料
型号: IRL3202S
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 29A,7V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRL3202S
IRL3202S
3500
3000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V,    f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
15
12
I D = 29A
V DS = 16V
2500
2000
1500
C iss
C oss
9
6
1000
3
500
C rss
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 C
100
°
100
100us
1ms
T J = 25 ° C
10
10
10ms
1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0         2.6
1
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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