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参数资料
| 型号： | IRL3303LPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 38A TO-262 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3303LPBF |
IRL3303S/LPbF
1600
1400
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C iss C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 20A
V DS = 24V
V DS = 15V
1200
1000
800
600
C oss
9
6
C rss
400
3
200
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30
40
A
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
T J = 175°C
T J = 25°C
100
10
10μs
100μs
1ms
V GS = 0V
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
A
100
4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3402SPBF | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| B32521C1224K | CAP FILM 0.22UF 100VDC RADIAL |
| B32522C3104J | CAP FILM 0.1UF 250VDC RADIAL |
| IRF3711ZCLPBF | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
| IRF3711ZLPBF | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3303PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3303S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3303SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 38A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRL3303SPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3303STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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