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参数资料
| 型号： | IRL3303LPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 38A TO-262 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3303LPBF |
IRL3303S/LPbF
D 2 Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D 2 Pak Part Marking Information
T HIS IS AN IR F 530S WIT H
L OT CODE 8024
AS S E MB L E D ON WW 02, 2000
IN T HE AS S E MB L Y L INE "L "
Note: "P" in as s embly line
pos ition indicates "L ead-F ree"
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
F 530S
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 0 = 2000
WE E K 02
L INE L
OR
8
INT E RNAT IONAL
RE CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
LOT CODE
F 530S
P ART NUMB E R
DAT E CODE
P = DE S IGNAT E S LE AD-F RE E
P RODU CT (OP T IONAL)
YE AR 0 = 2000
WE E K 02
A = AS S E MB L Y S IT E CODE
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3402SPBF | MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK |
| B32521C1224K | CAP FILM 0.22UF 100VDC RADIAL |
| B32522C3104J | CAP FILM 0.1UF 250VDC RADIAL |
| IRF3711ZCLPBF | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
| IRF3711ZLPBF | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3303PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3303S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3303SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 38A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRL3303SPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3303STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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