参数资料
型号: IRL3502STRLPBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 64A,7V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 15V
功率 - 最大: 140W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
`
IRL3502SPbF
1000
VGS
TOP    7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
1000
VGS
TOP    7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
100
2.25V
100
2.25V
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10            100
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10            100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 110A
T J , Junction Temperature ( C)
10
2
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
3 4 5
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
6
0.0
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
V GS = 4.5V
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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IRL3502STRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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