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参数资料
| 型号： | IRL3714STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3714/S/LPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
––– ––– V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.022
––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance –––
–––
15 20
21 28
m ?
V GS = 10V, I D = 18A
V GS = 4.5V, I D = 14A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 1.0
––– 3.0 V
V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
––– 20
––– 100
μA
V DS = 16V, V GS = 0V
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
––– 200
––– -200
nA
V GS = 16V
V GS = -16V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 14A
––– R G = 1.8 ?
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.5
1.8
2.9
7.1
8.7
78
10
––– S V DS = 10V, I D = 14A
9.7 I D = 14A
––– nC V DS = 10V
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V, V DS = 10V
––– V DD = 10V
ns
t f
C iss
C oss
C rss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
4.5
670
470
68
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V
––– V DS = 10V
––– pF ? = 1.0MHz
?
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
72
14
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– 36
––– 140
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
–––
–––
––– 1.3
0.88 –––
V
T J = 25°C, I S = 18A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 18A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
35 53
34 51
35 53
35 53
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 18A, V R =10V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 18A, V R =10V
di/dt = 100A/μs ?
2
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