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参数资料
| 型号： | IRL3714STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3714/S/LPbF
10000
1000
TOP
VGS
15V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
1000
100
TOP
VGS
15V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
100
10
1
0.1
2.2V
BOTTOM 2.0V
2.0V
20μs PULSE WIDTH
10
1
2.2V
BOTTOM 2.0V
2.0V
20μs PULSE WIDTH
0.01
Tj = 25°C
0.1
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
2.5
I D = 36A
2.0
T J = 25°C
100.00
TJ = 175°C
1.5
1.0
10.00
0.5
VDS = 15V
1.00
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
T J , Junction Temperature
( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3714ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| IRL3715STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK |
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| IRL3715ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL3714STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRL3714ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 36A 3PIN TO-220AB - Bulk |
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