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参数资料
| 型号： | IRL520S |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 100V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 9.2 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | IRL520S |
IRL520S
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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