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参数资料
| 型号： | IRL530NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET?? Power MOSFET |
| 中文描述： | 的HEXFET？？功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | IRL530NS |
IRL530A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.12
Ω
I
D
= 14 A
100
14
9.9
49
±
20
261
14
6.2
6.5
62
0.41
- 55 to +175
300
2.41
--
62.5
--
0.5
--
n
Avalanche Rugged Technology
n
Rugged Gate Oxide Technology
n
Lower Input Capacitance
n
Improved Gate Charge
n
Extended Safe Operating Area
n
Lower Leakage Current : 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 100V
n
Lower R
DS(ON)
: 0.101
Ω
(Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
℃
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
℃
)
Continuous Drain Current (T
C
=100
℃
)
Drain Current-Pulsed
①
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
②
Avalanche Current
①
Repetitive Avalanche Energy
①
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
℃
)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8
＂
from case for 5-seconds
③
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
℃
A
℃
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
Rev. B1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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