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参数资料
| 型号： | IRL530NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET?? Power MOSFET |
| 中文描述： | 的HEXFET？？功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | IRL530NS |
IRL530A
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
15
30
45
60
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.4
0.6
0.8
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
3
6
9
12
15
18
0
2
4
6
V
DS
= 80 V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 20 V
@ Notes : I
D
= 14 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRL530NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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