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参数资料
| 型号： | IRL540LPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | IRL540LPBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL540L | 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRLF120 | 5.3 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRLI630G | 5.9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRLIZ44N | Power MOSFET |
| IRLMS1503 | Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL540N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| IRL540NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRL540NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL540NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL540NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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