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参数资料
| 型号： | IRL6903 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IRL6903 |
IRL6903
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
VDS
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
-VDS
-
D
I
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
0
50
100
150
200
250
300
0
3
6
9
12
15
QG
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-55A
V
=-15V
DS
V
=-24V
DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL6903L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
| IRFPS30N60K | SMPS MOSFET |
| IRL6903 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRLBA1304P | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL6903L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
| IRL7833 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRL7833L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRL7833LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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