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参数资料
| 型号： | IRL6903 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IRL6903 |
IRL6903
25
50
75
100
125
150
175
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
-22A
-39A
-55A
TOP
BOTTOM
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-4.5V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
VDD
DRIVER
A
15V
-20V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLBA1304P | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package |
| IRLBA1304P | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRLBL1304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AA |
| IRLC1304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
| IRLC9024N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | CHIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL6903L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
| IRL7833 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRL7833L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRL7833LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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