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参数资料
| 型号： | IRL7N1404 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET的表面贴装系统（SMD - 1） |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRL7N1404 |
IRL7N1404
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
50
Q , Total Gate Charge (nC)
100
150
200
250
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
55A
V
= 8V
DS
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1
ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μs
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRL7Y1905CSCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 50V 10A 3PIN TO-257AA - Bulk |
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