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参数资料
| 型号： | IRLF120 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39) |
| 中文描述： | 的HEXFET三极管通孔（到39） |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | IRLF120 |
www.irf.com
7
IRLF120
Foot Notes:
ISD
≤
5.3A, di/dt
≤
110A/
μ
s,
VDD
≤
100V, TJ
≤
150
°
C
Suggested RG =18
Pulse width
≤
300
μ
s; Duty Cycle
≤
2%
Repetitive Rating; Pulse width limited by
maximum junction temperature.
VDD = 25 V, Starting TJ = 25
°
C, L= 6.1mH
Peak IAS = 5.3A, VGS =5.0V, RG= 25
Case Outline and Dimensions —TO-205AF ( TO-39)
LEGEND
1- SOURCE
2- GATE
3- DRAIN
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
Data and specifications subject to change without notice. 08/01
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参数描述 |
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