参数资料
型号: IRLI2203
厂商: International Rectifier
元件分类: 其它接口
英文描述: TERMINAL
中文描述: IGBT模块
文件页数: 3/8页
文件大小: 328K
代理商: IRLI2203
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
IRLI2203G
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
C
= 25
o
C
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
C
= 175
o
C
1
10
100
1000
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 5.0V
A
I = 52A
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
I
D
VDS
20μs PULSE WIDTH
Tc
A
VGS
2.25V
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
DS
2.25V
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
A
VGS
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PDF描述
IRLI2203G Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
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IRLI2203N 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI2203NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 7mOhm 73.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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