- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384507 > IRLI2203 (International Rectifier) TERMINAL PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLI2203 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | 其它接口 |
| 英文描述： | TERMINAL |
| 中文描述： | IGBT模块 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | IRLI2203 |
IRLI2203G
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
0
20
40
60
80
100
120
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 24V
I = 55A
10
100
1000
0.1
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
10
100
1000
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI2203G | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A) |
| IRLI2910 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3615 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3705N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3705 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI2203G | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A) |
| IRLI2203N | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLI2203NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 7mOhm 73.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI2505 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLI2505PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 58A TO-220FP 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 58A TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D 制造商:International Rectifier 功能描述:58 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。