参数资料
型号: IRLI2203
厂商: International Rectifier
元件分类: 其它接口
英文描述: TERMINAL
中文描述: IGBT模块
文件页数: 6/8页
文件大小: 328K
代理商: IRLI2203
IRLI2203G
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
10 V
10 V
0
40
80
120
160
200
240
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 21A
37A
BOTTOM 52A
V = 25V
D
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PDF描述
IRLI2203G Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRLI2203G 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=52A)
IRLI2203N 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI2203NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 7mOhm 73.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI2505 功能描述:MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI2505PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 58A TO-220FP 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 58A TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D 制造商:International Rectifier 功能描述:58 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB