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参数资料
| 型号： | IRLI530N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 41W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI530N |
IRLI530N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
? V (BR)DSS / ? T J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
100
–––
–––
–––
0.122
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
0.100 V GS = 10V, I D = 9.0A ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.120
?
V GS = 5.0V, I D = 9.0A ?
–––
–––
0.150 V GS = 4.0V, I D = 8.0A ?
––– R G = 6.0 ?, V GS = 5.0V
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
1.0
7.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
53
30
26
2.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 50V, I D = 9.0A ?
25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 16V
nA
-100 V GS = -16V
34 I D = 9.0A
4.8 nC V DS = 80V
20 V GS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 50V
––– I D = 9.0A
ns
––– R D = 5.5 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5 –––
7.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
160 ––– V DS = 25V
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
800 ––– V GS = 0V
pF
90 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
12
60
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 6.6A, V GS = 0V ?
––– 140 210 ns T J = 25°C, I F = 9.0A
––– 740 1100 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 3.1mH
R G = 25 ? , I AS = 9.0A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 9.0A, di/dt ≤ 540A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? t=60s, ?=60Hz
? Uses IRL530N data and test conditions
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI540N | MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP |
| IRLIZ34N | MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP |
| IRLIZ44G | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP |
| IRLL014NTR | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI530NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI540A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI540ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI540G | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI540GPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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