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参数资料
| 型号： | IRLI530N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 41W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI530N |
IRLI530N
1400
1200
1000
C is s
V GS
C iss
C rss
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs +C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
15
12
I D = 9.0A
V D S = 8 0V
V D S = 5 0V
V D S = 2 0V
800
600
400
C os s
C rs s
9
6
3
200
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
S E E FIG U R E 13
30 40
50
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
T J = 175°C
100
10
T J = 25°C
10
10μ s
10 0μ s
V G S = 0V
T J
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
1
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
10
1m s
10m s
100
A
1000
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI540N | MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP |
| IRLIZ34N | MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP |
| IRLIZ44G | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP |
| IRLL014NTR | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI530NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI540A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI540ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI540G | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI540GPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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