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参数资料
| 型号： | IRLI630G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份证\u003d 6.2A） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | IRLI630G |
IRLI630G
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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PDF描述 |
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参数描述 |
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