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参数资料
| 型号： | IRLIZ24N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | IRLIZ24N |
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
IRLIZ24N
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
+
-
V
DD
0
2
4
6
8
10
12
14
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = PDM
thJC
C
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ34G | POWER MOSFET |
| IRLIZ34N | Power MOSFET |
| IRLIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLL2703 | HEXFET?? Power MOSFET |
| IRLL2705 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIZ24NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
| IRLIZ24NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 14A 60mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ34A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| IRLIZ34G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ34G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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