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参数资料
| 型号： | IRLIZ24N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | IRLIZ24N |
IRLIZ24N
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
5.0 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
5.0 V
0
20
40
60
80
100
120
140
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 4.5A
7.8A
BOTTOM 11A
D
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ34G | POWER MOSFET |
| IRLIZ34N | Power MOSFET |
| IRLIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLL2703 | HEXFET?? Power MOSFET |
| IRLL2705 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIZ24NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
| IRLIZ24NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 14A 60mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ34A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| IRLIZ34G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ34G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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