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参数资料
| 型号： | IRLIZ34N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 37W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLIZ34N |
IRLIZ34N
Package Outline
TO-220 FullPak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
1 0.60 (.417)
1 0.40 (.409)
?
3.40 (.133)
3.10 (.123)
-A -
4.80 (.189)
4.60 (.181)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
3.70 (.145)
LE AD AS SIGN M EN T S
3.20 (.126)
7.10 (.2 80)
6.70 (.2 63)
1 - GA TE
2 - D R AIN
3 - SO U RC E
16.00 (.630)
15.80 (.622)
1.15 (.045)
M IN .
N OT ES :
1 D IME N SION IN G & T OLE R AN C IN G
1
2
3
PER A NS I Y 14.5M , 1982
2 C ON T R OLLIN G D IM EN SION : IN CH .
3.30 (.130)
3.10 (.122)
-B -
13.70 (.540)
13.50 (.530)
C
D
0.44 (.017)
1.40 (.055)
3X
1.05 (.042)
2.54 (.100)
3X
0.90 (.0 35 )
0.70 (.0 28 )
0.25 (.010)
M
A M
B
0.48 (.019)
3X
2 .85 (.112)
2 .65 (.104)
A
B
M IN IM U M C RE EPA GE
D IS TA NC E BET W EE N
2X
Part Marking Information
TO-220 FullPak
E XAM PLE : T HIS IS A N IRF I840G
A-B-C -D = 4.80 (.189)
W ITH AS SE MBLY
LOT CODE E401
INT ER NAT IONA L
RE CTIF IER
IRF I840G
A
PA RT NU MBE R
LOGO
E 401 9 24 5
AS SE MBLY
LOT COD E
D ATE CODE
(YYW W )
YY = YE AR
W W = W E EK
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 8/97
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ44G | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP |
| IRLL014NTR | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| IRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 |
| IRLL3303 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 20A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ44A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262AA |
| IRLIZ44G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLIZ44G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLIZ44GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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