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参数资料
| 型号： | IRLM120A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 2.3 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | IRLM120A |
IRLM120A
6
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =--------------------------
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by
＂
R
G
＂
I
S
controlled by Duty Factor
＂
D
＂
V
DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLM210 | Advanced Power MOSFET |
| IRLM210A | Advanced Power MOSFET |
| IRLR210 | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLR210A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLU210A | ADVANCED POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLM120ATF | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLM210 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLM210A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLM210ATF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLM220A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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