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参数资料
| 型号： | IRLMS4502TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1820pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | IRLMS4502 IRLMS4502-ND IRLMS4502CT |
PD- 93759B
IRLMS4502
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
D
D
G
1
2
3
6
5
4
A
D
D
S
V DSS = -12V
R DS(on) = 0.042 ?
Top View
Description
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
provides the designer with an extremely efficient device for
use in battery and load management applications..
The Micro6 package with its customized leadframe
produces a HEXFET power MOSFET with Rds(on) 60%
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. It's unique thermal design and R DS(on) reduction
enables a current-handling increase of nearly 300%
compared to the SOT-23.
Absolute Maximum Ratings
Micro6 ?
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
E AS
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy ?
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-12
-5.5
-4.4
-44
1.7
1.1
0.013
28
± 12
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
mJ
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
75
°C/W
1
01/13/03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS5703TR | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| IRLMS6702TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
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| IRLR024NTRR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS5703 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLMS5703TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLMS5703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS5703TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLMS5703TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 30 V 1.7 W 7.2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 |
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