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参数资料
| 型号： | IRLMS6702TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS6702TR IRLMS6702 IRLMS6702CT |
PD - 91414C
IRLMS6702
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Generation V Technology
Micro6 Package Style
Ultra Low R DS(on)
P-Channel MOSFET
D
D
1
2
6
5
A
D
D
V DSS = -20V
Description
G
3
4
S
R DS(on) = 0.20 ?
Fifth Generation HEXFET ? power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the fast
switching speed and ruggedized device design that
HEXFET ? power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient and
reliable device for use in a wide variety of applications.
The Micro6 ? package with its customized leadframe
produces a HEXFET ? power MOSFET with R DS(on)
60% less than a similar size SOT-23. This package is
ideal for applications where printed circuit board space
is at a premium. It's unique thermal design and R DS(on)
reduction enables a current-handling increase of
nearly 300% compared to the SOT-23.
Absolute Maximum Ratings
Top View
Micro6 ?
Parameter
Max.
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
-2.4
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
Junction and Storage Temperature Range
-1.9
-13
1.7
13
± 12
5.0
-55 to + 150
A
W
mW/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
R θ JA
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient ?
Min.
???
Typ.
???
Max
75
Units
°C/W
www.irf.com
1
3/18/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
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| IRLR024NTRR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| IRLR110TRR | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
| IRLR120NTRR | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS6702TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 2.4A 6PIN MICRO6 - Tape and Reel |
| IRLMS6702TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 5.8nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS6702TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:1.7W |
| IRLMS6802 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC MICRO-6 |
| IRLMS6802PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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