参数资料
型号: IRLMS6702TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 1.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 210pF @ 15V
功率 - 最大: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: Micro6?(TSOP-6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLMS6702TR
IRLMS6702
IRLMS6702CT
IRLMS6702
V DS
R D
-4.5V
Q GS
Q G
Q GD
R G
V GS
D.U.T.
V DD
V G
Charge
-4.5V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
50K ?
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
V DS
10%
V GS
-3mA
90%
I G
I D
V DS
Current Sampling Resistors
100
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
D = 0.50
0.20
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
0.10
0.05
1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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