参数资料
型号: IRLMS6702TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 1.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 210pF @ 15V
功率 - 最大: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: Micro6?(TSOP-6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLMS6702TR
IRLMS6702
IRLMS6702CT
IRLMS6702
Tape & Reel Information
Micro6 ?
8mm
4mm
FEED DIRECTION
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
178.00
( 7.008 )
MAX.
9.90 ( .390 )
8.40 ( .331 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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8
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PDF描述
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IRLMS6702TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:1.7W
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