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参数资料
| 型号： | IRLMS6702TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS6702TR IRLMS6702 IRLMS6702CT |
IRLMS6702
400
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
10
I D = -1.6A
V DS = -16V
C rss = C gd
C oss =C ds +C gd
8
300
C iss
6
C oss
200
4
C rss
100
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
2
4
SEE FIGURE 9
6 8
10
A
100
10
1
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
T J = 25°C
100
10
1
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100μs
1ms
10ms
V GS = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
0.1
1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
10
A
100
4
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| IRLR014NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
| IRLR024NTRR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| IRLR110TRR | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
| IRLR120NTRR | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS6702TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 2.4A 6PIN MICRO6 - Tape and Reel |
| IRLMS6702TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 5.8nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS6702TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:1.7W |
| IRLMS6802 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC MICRO-6 |
| IRLMS6802PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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