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参数资料
| 型号： | IRLMS5703TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS5703TR IRLMS5703 IRLMS5703CT |
PD - 91413 E
IRLMS5703
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Generation V Technology
Micro6 Package Style
Ultra Low Rds(on)
P-Channel MOSFET
D
D
1
2
6
5
A
D
D
V DSS = -30V
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
G
3
T op V iew
4
S
R DS(on) = 0.20 ?
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The Micro6 package with its customized leadframe
produces a HEXFET power MOSFET with Rds(on)
60% less than a similar size SOT-23. This package is
ideal for applications where printed circuit board space
is at a premium. It's unique thermal design and R DS(on)
reduction enables a current-handling increase of nearly
300% compared to the SOT-23.
Absolute Maximum Ratings
M icro 6
Parameter
Max.
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
-2.3
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @- 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
Junction and Storage Temperature Range
-1.9
-13
1.7
13
± 20
5.0
-55 to + 150
A
W
mW/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Min.
Typ.
Max
Units
R θ JA
Maximum Junction-to-Ambient ?
–––
–––
75
°C/W
4/7/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS6702TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| IRLR014NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
| IRLR024NTRR | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| IRLR110TRR | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS5703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS5703TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLMS5703TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 30 V 1.7 W 7.2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 |
| IRLMS6702 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC MICRO-6 |
| IRLMS6702PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Generation V Technology, Micro6 Package Style, Ultra Low RDS |
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