参数资料
型号: IRLMS5703TR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 1.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: Micro6?(TSOP-6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLMS5703TR
IRLMS5703
IRLMS5703CT
IRLMS5703
100
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTT OM - 3.0V
100
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTT OM - 3.0V
10
1
-3 .0V
20 μs P U LSE W IDTH
10
1
-3.0 V
20 μs P U LSE W IDTH
0.1
0.1
1
T J = 25 °C
10
A
0.1
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 2 5 °C
2.0
1.5
I D = -1.6A
T J = 1 5 0 °C
1.0
1
0.5
V DS = -1 0 V
0.1
3.0
4.0
5.0
2 0 μ s P U L S E W ID T H
6.0 7.0 8.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = -10 V
A
100 120 140 160
-V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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