参数资料
型号: IRLMS5703TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 1.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: Micro6?(TSOP-6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLMS5703TR
IRLMS5703
IRLMS5703CT
IRLMS5703
Micro6 ? Part Marking Information
相关PDF资料
PDF描述
IRLMS6702TR MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
IRLMS6802TR MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
IRLR014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
IRLR024NTRR MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR110TRR MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRLMS5703TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLMS5703TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRLMS5703TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 30 V 1.7 W 7.2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6
IRLMS6702 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC MICRO-6
IRLMS6702PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Generation V Technology, Micro6 Package Style, Ultra Low RDS