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参数资料
| 型号： | IRLMS5703TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS5703TR IRLMS5703 IRLMS5703CT |
IRLMS5703
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
0.20 V GS = -10V, I D = -1.6A ?
0.40 V GS = -4.5V, I D = -0.80A ?
––– R G = 6.2 ?
V (BR)DSS
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-30
–––
–––
–––
-1.0
1.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.01
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
1.4
2.3
10
12
20
8.4
170
89
44
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
?
––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -0.80A
-1.0 V DS = -24V, V GS = 0V
μA
-25 V DS = -24V, V GS = 0V, T J = 125°C
100 V GS = -20V
nA
-100 V GS = 20V
11 I D = -1.6A
2.1 nC V DS = -24V
3.4 V GS = -10V, See Fig. 6 and 9 ?
––– V DD = -15V
––– I D = -1.6A
ns
––– R D = 9.2 ?, See Fig. 10 ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
-1.7
-13
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
29
27
-1.2
44
41
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.6A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -1.6A
di/dt = -100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? I SD ≤ -1.6A, di/dt ≤ -140A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 5sec.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS5703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS5703TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLMS5703TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 30 V 1.7 W 7.2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 |
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