参数资料
型号: IRLMS5703TR
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 1.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V
功率 - 最大: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
供应商设备封装: Micro6?(TSOP-6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLMS5703TR
IRLMS5703
IRLMS5703CT
IRLMS5703
350
300
V GS
C is s
C rs s
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1MH z
C gs + C g d , C ds SH OR TED
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = -1 .6A
V DS = - 24V
V DS = - 15V
250
200
150
100
C is s
C o ss
C rss
12
8
4
50
FOR TE ST C IR C U IT
0
A
0
SE E FIG U R E 9
A
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
100
10
-V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
Q G , Total G ate C harge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
T J = 1 50° C
100μ s
T J = 25 °C
1m s
1
1
T A = 25 °C
10m s
T J
0.1
V G S = 0 V
A
0.1
= 15 0°C
S ing le Pulse
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
-V S D , S ource-to-Drain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ource Voltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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