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参数资料
| 型号： | IRLP2505 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | IRLP2505 |
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
IRLP2505
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
V
DD
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
D M
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
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PDF描述 |
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