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参数资料
| 型号： | IRLR014NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.14ヘ，身份证\u003d 10A条） |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | IRLR014NPBF |
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
°
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM 2.5V
VGS
10V
4.5V
2.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM 2.5V
VGS
15V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.5V
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
10A
VGS
4.5V
3.5V
10V
5.0V
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PDF描述 |
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