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参数资料
| 型号： | IRLR014NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.14ヘ，身份证\u003d 10A条） |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | IRLR014NPBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
0
5
10
15
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
6 A
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
1
10
100
0
100
200
300
400
500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
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