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参数资料
| 型号： | IRLR014NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.14ヘ，身份证\u003d 10A条） |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | IRLR014NPBF |
8
www.irf.com
12
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
DATE CODE
PART NUMBER
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
ASSEMBLY
LOT CODE
916A
34
IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
OR
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
12
34
PART NUMBER
IRFU120
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU014NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A ) |
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| IRLR024ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLU024ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLR110PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR014NTR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR014NTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR014NTRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR014NTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR014NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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