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参数资料
| 型号： | IRLR024NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IRLR024NPBF |
IRLR/U024NPbF
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
200
400
600
800
1
10
100
C
,Ca
pa
ci
ta
nc
e(
pF)
DS
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
A
V
= 0V,
f = 1MHz
C
= C
+ C
, C
SHORTED
C
= C
C
= C
+ C
GS
iss
gs
gd
ds
rss
gd
oss
ds
gd
Ciss
Coss
Crss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
G
V
,G
ate
-to
-S
ou
rc
eV
olta
ge
(V
)
GS
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V
= 44V
V
= 28V
I = 11A
DS
D
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
J
V
= 0V
GS
V
, Source-to-Drain Voltage (V)
I
,R
ev
ers
eD
ra
in
C
ur
re
nt
(
A
)
SD
A
T = 175°C
J
1
10
100
1000
1
10
100
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
I
,D
rai
n
C
ur
rent
(
A
)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
D
DS(on)
10s
100s
1ms
10ms
A
T
= 25°C
T
= 175°C
Single Pulse
C
J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR7821TRRPBF | 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRLU024NPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU4343PBF | 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRU1117CS | 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR |
| IS28F002BVT-80TI | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR024NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK |
| IRLR024NTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR024NTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR024NTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR024NTRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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