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参数资料
| 型号： | IRLR024NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IRLR024NPBF |
IRLR/U024NPbF
www.irf.com
5
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
Fig 10b. Switching Time Waveforms
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
5V
+
-VDD
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
thJ
C
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
h
er
ma
lR
es
p
on
se
(
Z
)
P
t2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
12
J
DM
thJC
C
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
T , Case Temperature ( C)
I
,D
rain
C
urrent
(A
)
°
C
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR7821TRRPBF | 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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| IRU1117CS | 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR |
| IS28F002BVT-80TI | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR024NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK |
| IRLR024NTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR024NTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR024NTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR024NTRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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