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参数资料
| 型号： | IRLR110TR |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 2.6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
(PCB Mount) a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
SYMBOL
R thJA
R thJA
R thJC
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
-
MAX.
110
50
5.0
UNIT
°C/W
Note
a. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
Gate-Source Threshold Voltage
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS
Δ V DS /T J
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μA
Reference to 25 °C, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = - 250 μA
V GS = ± 10 V
V DS = 100 V, V GS = 0 V
V DS = 80 V, V GS = 0 V, T J = 125 °C
100
-
1.0
-
-
-
-
0.12
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
V
V/°C
V
nA
μA
Drain-Source On-State Resistance
R DS(on)
V GS = 5.0 V
V GS = 4.0 V
I D = 2.6 A b
I D = 2.2 A b
-
-
-
-
0.54
0.76
Ω
Forward Transconductance
g fs
V DS = 50 V, I D = 2.6 A
2.3
-
-
S
Dynamic
Input Capacitance
C iss
V GS = 0 V,
-
250
-
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C oss
C rss
Q g
V DS = 25 V,
f = 1.0 MHz, see fig. 5
-
-
-
80
15
-
-
-
6.1
pF
Gate-Source Charge
Q gs
V GS = 5.0 V
I D = 5.6 A, V DS = 80 V,
see fig. 6 and 13 b
-
-
2.0
nC
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Q gd
t d(on)
-
-
-
9.3
3.3
-
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V DD = 50 V, I D = 5.6 A,
R g = 12 Ω , R D = 8.4 Ω , see fig. 10 b
-
-
-
47
16
17
-
-
-
ns
Internal Drain Inductance
L D
Between lead,
6 mm (0.25") from
package and center of
G
D
-
4.5
-
nH
Internal Source Inductance
L S
die contact c
-
7.5
-
S
Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Source-Drain Diode Current
Pulsed Diode Forward Current a
I S
I SM
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p - n junction diode
G
D
S
-
-
-
-
4.3
17
A
Body Diode Voltage
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge
V SD
t rr
Q rr
T J = 25 °C, I S =4.3 A, V GS = 0 V b
T J = 25 °C, I F = 5.6 A, dI/dt = 100 A/μs b
-
-
-
-
100
0.50
2.5
130
0.65
V
ns
μC
Forward Turn-On Time
t on
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S and L D )
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Pulse width ≤ 300 μs; duty cycle ≤ 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 91323
S10-1139-Rev. C, 17-May-10
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PDF描述 |
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| IRLR110 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR110TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR110TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR110TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR110TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR111 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252 |
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