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参数资料
| 型号： | IRLR110TR |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 2.6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
TO-251AA (HIGH VOLTAGE)
E1
4
Thermal PAD
3
E
4
b 4
A
0.010 0.25 M C A B
A
c2
θ 2
L2 4
θ 1
A
D1
4
B
3
C
Seating
5
plane
(Dat u m A)
L1 L3
C
C
L
B
B
A
3 x b 2
c
A1
V ie w A - A
2xe
3x b
0.010 0.25 M C A B
Base
Lead tip
Plating
5
b 1, b 3
metal
(c)
c1
5
( b , b 2)
Section B - B and C - C
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
DIM.
A
A1
b
MIN.
2.18
0.89
0.64
MAX.
2.39
1.14
0.89
MIN.
0.086
0.035
0.025
MAX.
0.094
0.045
0.035
DIM.
D1
E
E1
MIN.
5.21
6.35
4.32
MAX.
-
6.73
-
MIN.
0.205
0.250
0.170
MAX.
-
0.265
-
b1
0.65
0.79
0.026
0.031
e
2.29 BSC
2.29 BSC
b2
b3
b4
c
c1
c2
0.76
0.76
4.95
0.46
0.41
0.46
1.14
1.04
5.46
0.61
0.56
0.86
0.030
0.030
0.195
0.018
0.016
0.018
0.045
0.041
0.215
0.024
0.022
0.034
L
L1
L2
L3
θ 1
θ 2
8.89
1.91
0.89
1.14
0'
25'
9.65
2.29
1.27
1.52
15'
35'
0.350
0.075
0.035
0.045
0'
25'
0.380
0.090
0.050
0.060
15'
35'
D
5.97
6.22
0.235
0.245
ECN: S-82111-Rev. A, 15-Sep-08
DWG: 5968
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimension are shown in inches and millimeters.
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.13 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the
outermost extremes of the plastic body.
4. Thermal pad contour optional with dimensions b4, L2, E1 and D1.
5. Lead dimension uncontrolled in L3.
6. Dimension b1, b3 and c1 apply to base metal only.
7. Outline conforms to JEDEC outline TO-251AA.
Document Number: 91362
Revision: 15-Sep-08
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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| IRLR110 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR110TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR110TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR110TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR110TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR111 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。