参数资料
型号: IRLR120
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 毫欧 @ 4.6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRLR120
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR DPAK (TO-252)
0.224
(5.690)
0.180
(4.572)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.055
(1.397)
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Document Number: 72594
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
EVA-NF4R15Y14 POT 10K OHM SLIDE 100MM MONO FAD
P13SMNFGS472MA POT 4.7K OHM 1.5W 20% SEALED
P13SMNFGS102MA POT 1K OHM 1.5W 20% SEALED
FXO-HC530-24.576 OSC 24.576 MHZ 3.3V HCMOS SMD
3549H-2AA-103/103A POT 10K OHM 7/8" RD HYBRITRON
相关代理商/技术参数
参数描述
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